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2020-08-24
一、主要特點(diǎn):1、能根據(jù)薄膜的使用寬度進(jìn)行電弱點(diǎn)的測(cè)試，測(cè)試寬度可根據(jù)用戶(hù)的要求而設(shè)定，無(wú)須將膜分切成小卷，免除了許多外來(lái)因素對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。2、測(cè)試數(shù)據(jù)能真實(shí)地反映薄膜的質(zhì)量水平。3、主要元器件均選用品牌(如歐姆龍，美信，ABB等)，有效地保證了設(shè)備的可靠性、耐用性和穩(wěn)定性。4、測(cè)量，復(fù)現(xiàn)性好。5、測(cè)試過(guò)程采用電子技術(shù)全自動(dòng)控制，遇到電弱點(diǎn)時(shí)電壓切斷動(dòng)作迅速。6、擊穿電流在0～40mA連續(xù)可調(diào)，復(fù)現(xiàn)性好。7、多重保護(hù)功能，充分考慮了操作人員及設(shè)備的安全性。8、過(guò)壓、過(guò)流、...2020-08-24
據(jù)標(biāo)準(zhǔn)《GB/T13541-92電氣用塑料薄膜試驗(yàn)方法》，電氣用塑料薄膜要求進(jìn)行電弱點(diǎn)測(cè)試，在給定直流電壓下每平方米的擊穿點(diǎn)(電弱點(diǎn))數(shù)成為衡量薄膜成量的重要指標(biāo)，那如何進(jìn)行測(cè)試呢？此時(shí)就用到了電弱點(diǎn)測(cè)試儀。電氣用塑料薄膜電弱點(diǎn)測(cè)試儀，無(wú)須將膜卷分切成小卷，根據(jù)薄膜的使用寬度直接進(jìn)行電弱點(diǎn)測(cè)試。由于薄膜在生過(guò)程中極易引起縱向劃傷，該儀器*引用“電弱線(xiàn)”概念，即在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)檢測(cè)到的試樣漏電流均超過(guò)1mA時(shí)，認(rèn)定為該薄膜試樣在生產(chǎn)過(guò)程中存在縱向劃痕，從而產(chǎn)生“電弱線(xiàn)”，測(cè)試儀統(tǒng)...2020-08-21
在光電子學(xué)及其它高技術(shù)的發(fā)展中，薄膜材料占有重要的地位。鐵電薄膜具有電光效應(yīng)、非線(xiàn)性光學(xué)效應(yīng)、壓電效應(yīng)和熱釋電效應(yīng)等多種特性，又具有便于平面化和集成化的特點(diǎn)，因而特別受到人們的重視?，F(xiàn)在廣為研究的鐵電薄膜是PbTiO3(PT)、Pb1-xLaTi1-x/4O3(PLT)、PZT、PLZT、LiNbO3、Bi4Ti3O12和BaTiO3。制備方法有電子束蒸鍍、離子束濺射、射頻磁控濺射、射頻二極濺射、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積和金屬有機(jī)熱分解法等。為了充分發(fā)掘鐵電薄膜的功能，希望薄膜是...2020-08-20
臨界負(fù)溫?zé)崦舨牧弦訴O2為基本成分的多晶半導(dǎo)體材料，在68℃附近電阻值發(fā)生突變，在狹小的溫區(qū)內(nèi)，電阻值隨溫度的增加而降低3~4個(gè)數(shù)量級(jí)，具有很大的負(fù)溫度系數(shù)。阻值突變的溫度稱(chēng)為臨界溫度Tc，不同的材料其臨界溫度Tc不同，如V2O3的臨界溫度為-100℃，F(xiàn)e304為-150℃，VO2為68℃，Ti305為175℃，V305為140℃。Tc可以通過(guò)摻入適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)提高或降低，如在V305中摻入Ge可將其TC降到100~140℃之間，摻入2%的Ge，可使Tc降到120℃左右。在臨界...2020-08-20
PTC熱敏陶瓷1950年荷蘭Hayman等人，在BaTiO3材料中摻入微量元素，如Sb，La，Sm,Gd,Ho等，其常溫電阻率下降到10-2~104cm。與此同時(shí)當(dāng)溫度超過(guò)材料的居里溫度，在幾十度溫度范圍內(nèi)，其電阻率增大4~10個(gè)數(shù)量級(jí)，即產(chǎn)生所謂PTC效應(yīng)。BaTiO3是一種典型的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。BaTiO3系半導(dǎo)體陶瓷的制造方法與一般的電子陶瓷材料基本相同。只是對(duì)原材料的純度、摻雜成分的均勻性及工藝過(guò)程的控制有較高的要求。持別是BaTiO3半導(dǎo)體陶瓷與金屬銀電極的接觸面電阻可...2020-08-19
半導(dǎo)體的導(dǎo)電，主要是由電子和空穴造成的。溫度增加，使電子動(dòng)能增大，造成晶體中自由電子和空穴數(shù)目增加，因而使電導(dǎo)率升高。通常情況下電導(dǎo)率與溫度的關(guān)系為電阻率與溫度的關(guān)系為式中，B為與材料有關(guān)的常數(shù)，表示材料的電導(dǎo)活化能。某些材料的B值很大，它在感受微弱溫度變化時(shí)電阻率的變化十分明顯。有一類(lèi)半導(dǎo)體陶瓷材料，在特定的溫度附近電阻率變化顯著。如“摻雜”的BaTiO3(添加稀土金屬氧化物)在其居里點(diǎn)附近，當(dāng)發(fā)生相變時(shí)電阻率劇增103~106數(shù)量級(jí)。利用半導(dǎo)體陶瓷的電阻值對(duì)溫度的敏感特性...2020-08-18
半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)如圖4.2-23所示，下面是已被價(jià)電子占滿(mǎn)的允帶，中間為禁帶，上面是空帶。因此，在外電場(chǎng)作用下不能導(dǎo)電，但是這是零度時(shí)的情況。當(dāng)外界條件發(fā)生變化時(shí)，例如溫度升高和有光照射時(shí)，滿(mǎn)帶中有少量電子有可能被激發(fā)到上面的空帶中去，在外電場(chǎng)作用下，這些電子將參與導(dǎo)電。同時(shí)，滿(mǎn)帶中由于少了一些電子，在滿(mǎn)帶頂部附近出現(xiàn)了一些空的量子狀態(tài)，滿(mǎn)帶變成了部分占滿(mǎn)的能帶，在外電場(chǎng)的作用下，仍留在滿(mǎn)帶中的電子也能夠起導(dǎo)電作用。滿(mǎn)帶電子的這種導(dǎo)電作用等效于把這些空的量子狀態(tài)看作帶正電荷的...
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